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alphalas 光電探測(cè)器的選擇要點(diǎn)歸納

alphalas 光電探測(cè)器的選擇要點(diǎn)歸納　　alphalas 光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)的各層用分子束外延生長(zhǎng)在襯底上。諧振腔由分布布拉格反射(DBR)的底部反射器和半透明的頂部金(Au)接觸形成。吸收層的In克分子數(shù)低于10%，為了避免載流子俘獲，兩個(gè)異質(zhì)結(jié)層都線性地形成25nm的梯度?？偟奈諈^(qū)厚度為130nm左右，用來消除腔中的持續(xù)波效應(yīng)。alphalas 光電探測(cè)器通過耗盡區(qū)中吸收層位置的佳化，得到電子和空穴的小渡越時(shí)間。器件用光刻法制作，alphalas 光電探測(cè)器采用臺(tái)面隔離和Au空橋連接頂部，接觸到片上的微波共平面?zhèn)鬏斁€?！　榱颂岣邆鬏斝什⑶覠o畸變地變換光電信號(hào)，alphalas 光電探測(cè)器不僅要和被測(cè)信號(hào)、光學(xué)系統(tǒng)相匹配，而且要和后續(xù)的電子線路在特性和工作參數(shù)上相匹配，使每個(gè)相互連接的器件都處于佳的工作狀態(tài)。現(xiàn)將alphalas 光電探測(cè)器的應(yīng)用選擇要點(diǎn)歸納如下：　　1、alphalas 光電探測(cè)器必須和輻射信號(hào)源及光學(xué)系統(tǒng)在光譜特性上相匹配。如果測(cè)量波長(zhǎng)是紫外波段，則選用光電倍增管或?qū)ｉT的紫外光電半導(dǎo)體器件；如果信號(hào)是可見光，則可選用光電倍增管、光敏電阻和Si光電器件；如果是紅外信號(hào)，則選用光敏電阻，近紅外選用Si光電器件或光電倍增管。　　2、alphalas 光電探測(cè)器的光電轉(zhuǎn)換特性必須和入射輻射能量相匹配。其中首先要注意alphalas 光電探測(cè)器的感光面要和照射光匹配好，因光源必須照到器件的有效位置，如光照位置發(fā)生變化，則光電靈敏度將發(fā)生變化。如光敏電阻是一個(gè)可變電阻，有光照的部分電阻就降低，必須使光線照在兩電極間的全部電阻體上，以便有效地利用全部感光面。光電二極管、光電三極管的感光面只是結(jié)附近的一個(gè)極小的面積，故一般把透鏡作為光的入射窗，要把透鏡的焦點(diǎn)與感光的靈敏點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)。一股要使入射通量的變化中心處于檢測(cè)器件光電特性的線性范圍內(nèi)，以確保獲得良好的線性輸出。對(duì)微弱的光信號(hào)，器件必須有合適的靈敏度，以確保一定的信噪比和輸出足夠強(qiáng)的電信號(hào)?！　?、alphalas 光電探測(cè)器必須和光信號(hào)的調(diào)制形式、信號(hào)頻率及波形相匹配，以保證得到?jīng)]有頻率失真的輸出波形和良好的時(shí)間響應(yīng)。這種情況主要是選擇響應(yīng)時(shí)間短或上限頻率高的器件，但在電路上也要注意匹配好動(dòng)態(tài)參數(shù)?！　?、alphalas 光電探測(cè)器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配，以保證有足夠大的轉(zhuǎn)換系數(shù)、線性范圍、信噪比及快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)等?！　?、為使器件能長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作，必須注意選擇好alphalas 光電探測(cè)器的規(guī)格和使用的環(huán)境條件，并且要使alphalas 光電探測(cè)器在額定條件下使用。

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